ny
Eo amin'ny sehatry ny famokarana semiconductor, ny fahamendrehana dia ny fiainan'ny kalitao sy ny fahombiazan'ny vokatra. Ny fitaovana fandrefesana semiconductor, ho toy ny rohy manan-danja hiantohana ny fahamarinan'ny famokarana, dia mametraka fepetra saika henjana amin'ny fahamarinan'ny singa fototra. Anisan'izany, ny sehatra granita, miaraka amin'ny fahamarinan-toerana mafana indrindra, dia mitana anjara toerana lehibe amin'ny fitaovana fandrefesana semiconductor. Ity lahatsoratra ity dia hanao fanadihadiana lalina momba ny fahombiazan'ny fahatoniana mafana amin'ny sehatra granita amin'ny fitaovana fandrefesana semiconductor amin'ny alàlan'ny angon-drakitra fitsapana. ny
Ny fepetra hentitra momba ny fahamarinan-toerana mafana amin'ny fitaovana fandrefesana amin'ny famokarana semiconductor
Ny fizotran'ny famokarana semiconductor dia tena sarotra sy mazava, ary ny sakan'ny tsipika amin'ny chip dia niditra ny haavon'ny nanometer. Amin'ny dingana famokarana avo lenta toy izany, na dia ny fiovaovan'ny mari-pana kely aza dia mety hiteraka fanitarana mafana sy fihenan'ny singa fitaovana, ka miteraka fahadisoana amin'ny fandrefesana. Ohatra, ao amin'ny dingan'ny photolithography, raha mivaona amin'ny 1 nanometer ny fandrefesana ny fitaovana fandrefesana, dia mety hiteraka olana lehibe toy ny circuits fohy na faritra misokatra amin'ny circuits amin'ny puce, izay mitarika ho amin'ny fanapotehana ny chip. Araka ny antontan'isa momba ny angon-drakitra indostrialy, isaky ny fiovaovan'ny mari-pana amin'ny 1 ℃, ny seha-pitaovan'ny fitaovana fandrefesana metaly nentim-paharazana dia mety hiova amin'ny haben'ny nanometera maromaro. Na izany aza, ny famokarana semiconductor dia mitaky ny fandrefesana marina mba hofehezina ao anatin'ny ± 0.1 nanometers, izay mahatonga ny fahamarinan-toerana mafana ho antony lehibe amin'ny famaritana raha mahafeno ny fitakian'ny famokarana semiconductor ny fitaovana fandrefesana. ny
Tombontsoa ara-teorika momba ny fahamarinan-toerana mafana amin'ny sehatra granita
Ny granita, toy ny karazana vato voajanahary, dia manana kristaly mineraly anatiny, rafitra matevina sy mitovitovy, ary manana tombony voajanahary amin'ny fahamarinan-toerana mafana. Raha ny coefficient ny fanitarana mafana, ny coefficient ny fanitarana mafana ny granita dia tena ambany, amin'ny ankapobeny manomboka amin'ny 4.5 ny 6.5 × 10⁻⁶ / K. Mifanohitra amin'izany kosa, ny coefficient ny fanitarana mafana amin'ny fitaovana metaly mahazatra toy ny firaka aluminium dia avo toy ny 23.8 × 10⁻⁶ / K, izay imbetsaka ny granita. Midika izany fa eo ambanin'ny fepetra fiovaovan'ny mari-pana mitovy, ny fiovan'ny refy amin'ny sehatra granita dia kely kokoa noho ny an'ny sehatra metaly, izay afaka manome fanondro fandrefesana azo antoka kokoa ho an'ny fitaovana fandrefesana semiconductor. ny
Ankoatr'izay, ny firafitry ny kristaly amin'ny granita dia manome azy io miaraka amin'ny fitovian'ny hafanana. Rehefa miteraka hafanana na fiovan'ny hafanana manodidina ny fiasan'ny fitaovana, ny sehatra granita dia afaka manala haingana ny hafanana, misoroka ny hafanana be loatra na ny hafanana be loatra eo an-toerana, amin'izany dia mitazona tsara ny mari-pana amin'ny sehatra ary miantoka bebe kokoa ny fahamarinan'ny fandrefesana. ny
Ny dingana sy ny fomba fandrefesana ny fahamarinan-toerana mafana
Mba hanombanana tsara ny fahamarinan-toerana mafana amin'ny sehatra granita amin'ny fitaovana fandrefesana semiconductor, dia nanamboatra rafitra fandrefesana henjana izahay. Misafidiana fitaovana fandrefesana wafer semiconductor avo lenta, izay misy sehatra granita voahodina tsara indrindra. Ao amin'ny tontolo andrana, ny hafanana mahazatra isan-karazany ao amin'ny atrikasa famokarana semiconductor dia simulated, izany hoe, tsikelikely fanafanana avy amin'ny 20 ℃ ka hatramin'ny 35 ℃ ary avy eo mangatsiaka indray ny 20 ℃. Naharitra 8 ora ny dingana manontolo. ny
Eo amin'ny sehatra granita amin'ny fitaovana fandrefesana, apetraka ny wafers silisiôma manara-penitra avo lenta, ary ampiasaina ny sensor de displacement miaraka amin'ny fahitsiana nanoscale mba hanaraha-maso ny fiovan'ny toerana misy eo amin'ny wafers silisiôma sy ny lampihazo amin'ny fotoana tena izy. Mandritra izany fotoana izany, maro ireo sensor mari-pana avo lenta dia alamina amin'ny toerana samihafa eo amin'ny lampihazo mba hanaraha-maso ny fitsinjarana ny mari-pana eo amin'ny sehatry ny sehatra. Nandritra ny fanandramana dia voarakitra isaky ny 15 minitra ny angon-drakitra fifindra-monina sy ny mari-pana mba hahazoana antoka ny fahafenoana sy ny fahamarinan'ny angona. ny
Ny angona voarefy sy ny famakafakana vokatra
Ny fifandraisan'ny fiovan'ny mari-pana sy ny fiovan'ny haben'ny sehatra
Ny angon-drakitra andrana dia mampiseho fa rehefa miakatra ny mari-pana avy amin'ny 20 ℃ ka hatramin'ny 35 ℃, ny fiovan'ny haben'ny tsipika amin'ny sehatra granita dia tena kely. Taorian'ny kajy, nandritra ny dingana fanafanana manontolo, ny ambony indrindra linear fanitarana ny sehatra dia 0.3 nanometers ihany, izay ambany lavitra noho ny fahadisoana fandeferana isan-karazany ny fandrefesana marina amin'ny semiconductor dingana famokarana. Mandritra ny dingan'ny fampangatsiahana, ny haben'ny lampihazo dia mety hiverina tanteraka amin'ny fanjakana voalohany, ary ny trangan'ny fiovan'ny habe dia azo tsinontsinoavina. Ity toetran'ny fikojakojana ny fiovaovan'ny refy faran'izay ambany na dia ao anatin'ny fiovaovan'ny mari-pana lehibe aza dia manamarina tanteraka ny fahamarinan-toeran'ny hafanana amin'ny sehatra granita. ny
Famakafakana ny fitovian'ny maripana eo amin'ny velaran'ny lampihazo
Ny angon-drakitra nangonin'ny sensor mari-pana dia mampiseho fa mandritra ny fiasan'ny fitaovana sy ny fizotry ny fiovan'ny mari-pana, ny fizarana mari-pana eo amin'ny sehatry ny granita dia tena mitovy. Na dia mandritra ny dingana izay miova mafy indrindra aza ny mari-pana, dia fehezina ao anatin'ny ± 0.1 ℃ foana ny fahasamihafan'ny mari-pana eo amin'ny teboka fandrefesana tsirairay eo amin'ny sehatra. Ny fitsinjarana ny mari-pana fanamiana dia misoroka amin'ny fomba mahomby ny fiovaovan'ny sehatra vokatry ny adin-tsaina mafana tsy mitovy, miantoka ny fisaka sy ny fahamarinan-toeran'ny fandrefesana, ary manome tontolo fandrefesana azo antoka ho an'ny fitaovana metrolojia semiconductor. ny
Raha ampitahaina amin'ny sehatra ara-nofo mahazatra
Ny angon-drakitra refesina amin'ny sehatra granita dia nampitahaina tamin'ny an'ny fitaovana fandrefesana semiconductor mitovy amin'ny fampiasana ny sehatra firaka aluminium, ary ny fahasamihafana dia lehibe. Eo ambanin'ny toe-javatra mitovy amin'ny fiovan'ny mari-pana, ny fanitarana tsipika amin'ny sehatra firaka aluminium dia avo toy ny 2.5 nanometers, izay avo valo heny noho ny an'ny sehatra granita. Mandritra izany fotoana izany, ny fizarazaran'ny mari-pana eo amin'ny sehatry ny firaka aluminium dia tsy mitovy, miaraka amin'ny hafanana ambony indrindra mahatratra 0.8 ℃, ka miteraka fikorontanana miharihary amin'ny sehatra ary misy fiantraikany amin'ny fandrefesana marina. ny
Ao amin'ny tontolon'ny fitaovana metrology semiconductor, ny sehatra granita, miaraka amin'ny fahamarinan-toerana mafana indrindra, no lasa fototry ny fiantohana ny fandrefesana. Ny angon-drakitra voarefy dia manaporofo mafy ny fahombiazan'ny sehatra granita amin'ny famaliana ny fiovan'ny mari-pana, manome fanohanana ara-teknika azo antoka ho an'ny indostrian'ny famokarana semiconductor. Rehefa mandroso ny fizotran'ny famokarana semiconductor mankany amin'ny mari-pahaizana ambony kokoa, ny tombony azo avy amin'ny fitoniana mafana amin'ny sehatra granita dia ho lasa misongadina hatrany, mitarika ny fanavaozana ara-teknolojia sy ny fampandrosoana amin'ny indostria.
Fotoana fandefasana: May-13-2025